Ученые Физического института им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН) добились прорыва: им удалось сформировать практически идеальную границу раздела между ферромагнетиками и антиферромагнетиками. Это открывает путь к созданию высокоскоростных и энергоэффективных вычислительных устройств, сообщает ТАСС. Об этом пишет издание kazanonline24.ru.
Слоистые магнитоупорядоченные материалы, сочетающие ферромагнетики и антиферромагнетики, считаются перспективной основой для спинтроники — технологии, использующей и заряд, и спин электрона. Однако реализовать такие устройства мешали ограничения, присущие каждому типу материала по отдельности. Решение нашли в создании двумерного ферромагнитного слоя на поверхности слоистого антиферромагнетика, что позволяет объединить их сильные стороны.
В ФИАН успешно сформировали ферромагнитно-упорядоченную границу в слоистом антиферромагнитном кристалле. Академик Владимир Пудалов, возглавляющий Центр высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов ФИАН, подчеркнул: это открывает новые возможности для быстродействующих и стабильных устройств с магнитным упорядочением на наноуровне. Работа российских исследователей может ускорить разработку технологий хранения больших объемов данных и их быстрой обработки.
Ферромагнетики сильно намагничиваются даже в слабом поле и сохраняют намагниченность после его исчезновения. У антиферромагнетиков магнитные моменты соседних атомов направлены противоположно, поэтому суммарная намагниченность близка к нулю. Результаты опубликованы в журнале Physical Review Materials.