Ученые МФТИ первыми в России разработали способ производства транзисторов из дисульфида молибдена. Как пишет ProGorodNSK.ru со ссылкой на «Известия», новинка как минимум втрое компактнее кремниевых аналогов и в сотни раз экономичнее. По словам специалистов, эти микросхемы способны заменить кремниевые, которые уже достигли предела миниатюризации. Технология открывает перспективы для вычислительных систем нового типа, но её практическая ценность зависит от подтверждения заявленных параметров и масштабирования. Методика уже пригодна для промышленности, транзисторы совместимы с обычными компьютерами. Об этом сообщает портал Мой Альметьевск.
Илья Завидовский пояснил, что дисульфид молибдена снижает толщину с 2 до 0,65 нанометра, а энергоэффективность возрастает в сотни раз. Проблему повреждения материала при напылении металла решили, сформировав изолирующую прослойку из диоксида титана методом атомно-слоевого осаждения. Роман Романов добавил, что работа показывает, как подключать электрод к веществу толщиной в атом.
Эксперт НТИ Евгений Вишневский отметил, что чипы открывают путь к гибкой электронике. Поскольку технология атомно-слоевого осаждения уже применяется в промышленности, разработка может стать коммерческой. Николай Шелепин из РАН считает, что внедрение оправдано, если преимущества перевесят сложности.