Физики ФИАН создали почти бездефектную структуру для развития спинтроники

Специалисты Физического института имени П. Н. Лебедева РАН разработали способ формирования почти бездефектной границы между ферромагнитным и антиферромагнитным материалами. Открытие может способствовать развитию спинтроники и созданию более быстрых и экономичных вычислительных систем.

Спинтроника использует не только электрический заряд электрона, но и его спин — квантовое свойство, связанное с магнитными характеристиками частицы. Для таких технологий перспективны структуры, в которых сочетаются ферромагнетики и антиферромагнетики.

Исследователям удалось создать ферромагнитно-упорядоченный слой на границе слоистого антиферромагнитного кристалла. По словам академика Владимира Пудалова, руководителя Центра высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов ФИАН, эта разработка открывает дополнительные возможности для создания стабильных устройств с магнитным упорядочением на наноуровне.

В перспективе полученные результаты могут быть использованы при разработке технологий для хранения больших объемов информации и ее быстрой обработки.

Ферромагнетики способны сохранять намагниченность после воздействия внешнего магнитного поля. В антиферромагнетиках магнитные моменты соседних атомов направлены противоположно, поэтому их суммарная намагниченность близка к нулю.

Работа российских ученых опубликована в журнале Physical Review Materials, сообщает "Самара Онлайн 24".